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IRL1004S/1004L
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
40
––– ––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.04 ––– V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
?
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
–––
–––
1.0
63
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 0.0065 V GS = 10V, I D = 78A ?
––– 0.009 V GS = 4.5V, I D = 65A ?
––– V V DS = V GS , I D = 250μA
––– ––– S V DS = 25V, I D = 78A ?
––– 25 V DS = 40V, V GS = 0V
μA
––– 250 V DS = 32V, V GS = 0V, T J = 150°C
––– 100 V GS = 16V
nA
––– -100 V GS = -16V
––– 100 I D = 78A
––– 32 nC V DS = 32V
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
–––
–––
–––
–––
––– 43 V GS = 4.5V, See Fig. 6 and 13
16 ––– V DD = 20V,
210 ––– I D = 78A,
25 ––– ns R G = 2.5 ?,
??
t f
Fall Time
–––
14 ––– R D = 0.18 ? , See Fig. 10
??
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
nH
Between lead,
and center of die contact
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
5330 ––– V GS = 0V
1480 ––– pF V DS = 25V
320 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ??
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode) ?
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
––– ––– 130 ?
––– ––– 520
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 78A, V GS = 0V ?
––– 78 120 ns T J = 25°C, I F = 78A
––– 180 270 nC di/dt = 100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
max. junction temperature. (See fig. 11)
? Starting T J = 25°C, L = 0.23mH
R G = 25 ? , I AS = 78A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 78A, di/dt ≤ 370A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
?
?
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature; for recommended current-handing of the
package refer to Design Tip # 93-4
Uses IRL1004 data and test conditions
* When mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
2
www.irf.com
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